[发明专利]一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法

摘要

本发明涉及一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，属于纳米线制备方法领域。该方法的工艺步骤如下：（1）制备前驱溶液：向反应容器中加入去离子水，然后加入锌盐和聚乙烯亚胺，在室温、常压下搅拌0.5~3h，得前驱溶液；（2）超过滤：对前驱溶液进行超过滤；（3）旋涂：将步骤（2）截留所得溶液滴加到基底上，然后以500~3000rpm的转速涂胶；（4）热处理：①将涂胶后的基底在常压、氧气氛围、400~600℃保温30~120min，保温时间届满后，将基底自然冷却至室温，②将步骤①处理后的基底在常压、氧气氛围、800~1000℃下保温1~10min，保温时间届满后，将基底自然冷却至室温，③将步骤②处理后的基底在100~3000Pa、氧气氛围、400~600℃的条件下保温5~30min。

主权项

一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，其特征在于工艺步骤如下：（1）制备前驱溶液向反应容器中加入去离子水，然后加入锌盐和聚乙烯亚胺，在室温、常压下搅拌0.5~3h，得前驱溶液；所述锌盐、去离子水及聚乙烯亚胺的量以锌盐中的锌、去离子水、聚乙烯亚胺的质量比达到1:400:20~1:80:4为限；（2）超过滤将步骤（1）所得前驱溶液进行超过滤，超过滤时间以分离不出液体为限；（3）旋涂将步骤（2）截留所得溶液在200~1000rpm的转速下滴加到基底上，然后以500~3000rpm的转速涂胶10~60s；（4）热处理①将步骤（3）所得涂胶后的基底在常压、氧气氛围、400~600℃条件下保温30~120min，保温时间届满后，将所述基底自然冷却至室温，②将步骤①处理后的基底在常压、氧气氛围、800~1000℃条件下保温1~10min，保温时间届满后，将所述基底自然冷却至室温，③将步骤②处理后的基底在100~3000Pa、氧气氛围、400~600℃的条件下保温5~30min。