[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310013128.7 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103208492A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 岩崎真也 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;孙丽梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置。在具有半导体基板的半导体装置中，二极管和IGBT形成在半导体基板上，二极管的阴极区域和IGBT的集电极区域形成在暴露于半导体基板的一个表面的范围内。在所述表面上形成有与阴极区域接触的第一导体层和与集电极区域接触的第二导体层。第二导体层的功函数大于第一导体层的功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体基板，在其上形成有具有阴极区域的二极管和具有集电极区域的IGBT，所述阴极区域和所述集电极区域形成在所述半导体基板的一个表面上，其中，在所述表面上形成有与所述阴极区域接触的第一导体层和与所述集电极区域接触的第二导体层，并且所述第二导体层的功函数大于所述第一导体层的功函数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310013128.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连采机及行进及装载控制系统
- 下一篇：网站关联信息获取方法与装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
