[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310013128.7 申请日: 2013-01-14
公开(公告)号: CN103208492A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 岩崎真也 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L29/739;H01L29/861
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;孙丽梅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体装置。在具有半导体基板的半导体装置中,二极管和IGBT形成在半导体基板上,二极管的阴极区域和IGBT的集电极区域形成在暴露于半导体基板的一个表面的范围内。在所述表面上形成有与阴极区域接触的第一导体层和与集电极区域接触的第二导体层。第二导体层的功函数大于第一导体层的功函数。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:半导体基板,在其上形成有具有阴极区域的二极管和具有集电极区域的IGBT,所述阴极区域和所述集电极区域形成在所述半导体基板的一个表面上,其中,在所述表面上形成有与所述阴极区域接触的第一导体层和与所述集电极区域接触的第二导体层,并且所述第二导体层的功函数大于所述第一导体层的功函数。
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