[发明专利]倒置浸入式晶圆平坦化的方法无效
| 申请号： | 201310013176.6 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103077924A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 于大全;程万;伍恒 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒置浸入式晶圆平坦化的方法，将晶圆正面朝下水平放置，与腐蚀液相对，晶圆正面是一层过电镀的铜层，过电镀的铜层表面有铜包；将晶圆竖直向下移动到过电镀铜层距离腐蚀液面1毫米处后，再以0.05~0.2mm/s的速度向下移动直到铜包完全浸没在腐蚀液里；保持晶圆和腐蚀液静止，直至铜包被腐蚀掉；再以0.05~0.2mm/s的速度向上提起晶圆1毫米，使晶圆脱离腐蚀液。在移动过程中，晶圆的倾斜度要求<0.005°。本发明的优点是：通过机电设备精确控制晶圆表面与腐蚀液液面的距离，通过化学刻蚀去除晶圆表面突出部分。其工艺原理简单，操作简便。 | ||
| 搜索关键词： | 倒置 浸入 式晶圆 平坦 方法 | ||
【主权项】：
倒置浸入式晶圆平坦化的方法，其特征是：将晶圆正面朝下水平放置，与腐蚀液相对，晶圆正面是一层过电镀的铜层，过电镀的铜层表面有铜包；将晶圆竖直向下移动到过电镀铜层距离腐蚀液面1毫米处后，再以0.05~0.2mm/s的速度向下移动直到铜包完全浸没在腐蚀液里；保持晶圆和腐蚀液静止，直至铜包被腐蚀掉；再以0.05~0.2mm/s的速度向上提起晶圆1毫米，使晶圆脱离腐蚀液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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