[发明专利]一种石墨烯负载花状二氧化锰复合材料及其超声合成方法有效
| 申请号： | 201310013230.7 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103077835A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 蒋永;赵兵;马启亮;蔡新辉;刘瑞喆;凌学韬;焦正 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01G11/32 | 分类号： | H01G11/32;H01G11/86 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯负载花状二氧化锰复合材料及其超声合成方法。其典型的特征为花状MnO2与石墨烯片层的复合，而花状二氧化锰又是由许多薄片相互组装而成。石墨烯作为基体骨架其具有良好的导电性，花状二氧化锰可以通过石墨烯片层实现良好的导电性，从而提高了复合材料的表观电导率。生长在石墨烯两侧的花状二氧化锰直径为100~300nm，薄片的厚度为1~10nm。该材料制备经过两个典型步骤，一是制备热解石墨烯，二是超声合成石墨烯负载花状二氧化锰复合材料。本发明方法制备的石墨烯负载花状二氧化锰复合材料工艺简单，电极电容高、循环性能好，适用于超级电容器电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 负载 二氧化锰 复合材料 及其 超声 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯负载花状二氧化锰复合材料，其特征在于，以单层石墨烯作为基体骨架，花状二氧化锰在石墨烯片层两面生长，花状二氧化锰的直径为100~300nm，由若干厚度为1~10nm的薄片相互组装而成，复合材料中二氧化锰的重量百分比为20%~98%。
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