[发明专利]一种晶硅太阳能MWT电池的制造方法及其制造的电池

摘要

本发明公开了一种晶硅太阳能MWT电池的制造方法，包括如下步骤：制作导电通孔；湿法制绒；受光面进行栅线区域磷浆印刷；磷扩散；刻蚀硅基体边缘，去PSG处理；镀减反射膜，印刷发射极接触电极、背极接触电极以及基极接触电极；印刷受光面电极栅线；烧结形成欧姆接触；基极接触电极与发射极接触电极之间电绝缘，完成太阳能电池制作。本发明在MWT太阳能电池上实现了选择性发射极结构，并结合背钝化技术和二次印刷技术，有效降低光学损失，减少少数载流子复合，减少电极相关的各种电阻损失，显著提高电池的短路电流ISC、开路电压UOC以及填充因子。该制备工艺易于操作，能与当前广泛应用的太阳能电池生产线完全兼容，适合大规模生产。

主权项

一种晶硅太阳能MWT电池的制造方法，其特征是包括如下步骤： （a）使用P型晶体硅基体(1)，利用激光在晶体硅基体(1)上制作导电通孔(5)； （b）使用化学溶液对打孔晶体硅基体(1)进行湿法制绒； （c）对打孔晶体硅基体(1)的受光面进行栅线区域磷浆印刷，在印刷的栅线区域形成重掺杂区域（22），在未印刷的非栅线区域形成轻掺杂区域（21）； （d）使用液态磷源进行磷扩散； （e）刻蚀硅基体(1)边缘，并进行去PSG处理； （f）在晶体硅基体的受光面镀减反射膜(3)； （g）在背光面利用丝网印刷技术将导电银浆填满导电通孔成发射极接触电极(11)，并与受光面扩散层形成良好的接触，印刷银浆形成背极接触电极(10)，再印刷铝浆形成基极接触电极(9)； （h）在由步骤（c）所得的重掺杂区域（22）的上面印刷银浆，形成受光面电极栅线； （i）经烧结形成金属与硅基体(1)欧姆接触； （j）将基极接触电极(9)与发射极接触电极(11)之间电绝缘，完成太阳能电池制作过程。