[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310013332.9 申请日: 2013-01-14
公开(公告)号: CN103928599A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 郝茂盛;朱广敏;张楠;陈耀;杨杰;袁根如 申请(专利权)人: 上海蓝光科技有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/00
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 余明伟
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种发光二极管及其制造方法,包括:导热导电衬底,上下表面分别具有键合层与P电极;反射镜;发光外延结构,包括层叠的P型层、量子阱层及N型层;蓝宝石衬底,结合于所述发光外延结构;接触区,由所述蓝宝石衬底贯穿至所述键合层;N电极,藉由所述接触区将所述N型层电性连接至所述蓝宝石衬底表面;钝化层,填充于所述接触区内。本发明提供了一种新型的倒装LED结构,通过晶圆级的键合工艺实现了倒装LED芯片的制造,将LED芯片直接键合于导热导电衬底中,大大地提高了LED芯片的散热效率;先于蓝宝石衬底中形成凹槽结构后进行外延,最后通过减薄将N电极露出,避免后续加工容易出现碎片等缺陷,降低了工艺的难度,并有效提高了产品的良率。
搜索关键词: 一种 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管至少包括:导热导电衬底,其下表面结合有P电极,上表面结合有键合层;反射镜,结合于所述键合层;发光外延结构,结合于所述反射镜,包括依次层叠的P型层、量子阱层及N型层;蓝宝石衬底,结合于所述发光外延结构;接触区,由所述蓝宝石衬底贯穿至所述键合层;N电极,藉由所述接触区将所述N型层电性连接至所述蓝宝石衬底表面;钝化层,填充于所述接触区内的N电极与键合层之间。
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