[发明专利]银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201310013380.8 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103088388A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 游巧;费广涛;许少辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C25D11/12 | 分类号： | C25D11/12;C25D11/18;C25D11/16;C25D5/10;C25D3/46;C25D3/54;G01N1/28;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 任岗生 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途。阵列为一面覆有金膜的氧化铝模板的孔中置有银纳米线与铋纳米线交替连接成的一维超晶格纳米线组成的阵列，其中，金膜的厚度为200～400nm，银纳米线的线直径为55～65nm、线长为100～200nm，铋纳米线的线直径为55～65nm、线长为65nm～2μm；方法为先使用二次阳极氧化法得到孔直径为55～65nm的通孔氧化铝模板，再于通孔氧化铝模板的一面镀金膜，接着，先将一面镀有金膜的氧化铝模板置于银电解液中，于直流电压为0.4～0.6V下电沉积25～35s，再将其置于铋电解液中，于直流电压为0.9～1.3V下电沉积45～600s，制得银-铋超晶格纳米线阵列。它可用于测试铋纳米线的长径比与其熔化特性之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 纳米 阵列 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种银‑铋超晶格纳米线阵列，包括氧化铝模板，其特征在于：所述氧化铝模板的一面覆有金膜，所述一面覆有金膜的氧化铝模板的孔中置有银纳米线与铋纳米线连接成的一维超晶格纳米线组成的阵列；所述金膜的厚度为200～400nm；所述连接成一维超晶格纳米线的银纳米线的线直径为55～65nm、线长为100～200nm，铋纳米线的线直径为55～65nm、线长为65nm～2μm。
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