[发明专利]在基片上镀制ITO薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310013626.1 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103924191A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 何光俊;姚志涛 | 申请（专利权）人： | 上海北玻玻璃技术工业有限公司;洛阳北方玻璃技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型的ITO镀膜工艺，步骤包括：提供一具有导热性能的平板，置于真空溅射腔室内；对平板进行均匀预热，并使平板温度达到镀膜所需温度；将平板输送至阴极下方；并调整靶材加载功率、工作气体流量和辅助气体流量；将至少一个需要镀制ITO薄膜的基片摆放在平板上，进行预热；通过溅射，在基片上沉积ITO薄膜至所需厚度。本发明所提供的方法，能够避免背面绕射，简化窗口层的工艺流程，能够在小尺寸硅片上实现均匀性镀膜，适合于HIT、单晶/多晶硅等光伏电池的大批量生产，并且所制备的ITO薄膜具有低的方块电阻和高透明度。 | ||
| 搜索关键词： | 基片上镀制 ito 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在基片上镀制ITO薄膜的方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供一具有导热性能的平板，置于真空溅射腔室内；步骤2，对平板进行均匀预热，并使平板温度达到镀膜所需温度；步骤3，将平板输送至阴极下方；并调整靶材加载功率、工作气体流量和辅助气体流量；步骤4，将至少一个需要镀制ITO薄膜的基片摆放在平板上，进行预热；步骤5，通过溅射，在基片上沉积ITO薄膜至所需厚度。
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