[发明专利]半导体基板及半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201310013795.5 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103219361B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 渡边幸宗 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够形成结晶缺陷少的高品质的单晶碳化硅膜且能够抑制晶片的翘曲的半导体基板及其制造方法。半导体基板包括硅基板(11)；形成在硅基板(11)的表面上的单晶碳化硅膜(13)；形成在硅基板(11)的形成有单晶碳化硅膜(13)的一侧的相反侧的面上且对该面施加压缩应力而缓和硅基板(11)的应力的应力缓和膜(15)，在单晶碳化硅膜(13)的硅基板(11)一侧的部分，沿该单晶碳化硅膜(13)与硅基板(11)之间的界面存在有多个空隙(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其特征在于，包括：硅基板；单晶碳化硅膜，其配置在所述硅基板的表面上；应力缓和膜，其配置在所述硅基板的配置有所述单晶碳化硅膜一侧的相反侧的面上，且对所述相反侧的面施加压缩应力而缓和所述硅基板的应力，在所述单晶碳化硅膜的所述硅基板一侧的部分，沿所述单晶碳化硅膜与所述硅基板之间的界面存在多个空隙，空隙的宽度小于空隙上部的单晶碳化硅膜的高度的两倍，所述应力缓和膜由第一应力缓和膜和第二应力缓和膜层叠而成，所述第二应力缓和膜的热膨胀系数比所述硅基板的热膨胀系数大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310013795.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
