[发明专利]半导体设备有效
申请号: | 201310013910.9 | 申请日: | 2013-01-15 |
公开(公告)号: | CN103208493A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | M·泰拉比;J·B·格莱特;M·拉希德;D·S·多曼;I·Y·林;I·洛伦兹;L·何;C·阮;J·金;J·桂;Y·马;Y·邓;R·奥戈;S-H·李;J·E·史蒂芬;S·约翰逊;S·坎格瑞;S·文卡特桑 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体设备,其包含具有扩散区的半导体基板,晶体管形成于该扩散区内,电力轨设置于该扩散区之外,接触层设置在该基板上方与该电力轨下方,盲孔设置于该接触层与该电力轨之间,以将该接触层电性连接至该电力轨,该接触层包含第一长度与第二长度,该第一长度设置在该扩散区之外,该第二长度从该第一长度延伸至该扩散区中并电性连接至该晶体管。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 | ||
【主权项】:
一种半导体设备,其包括:半导体基板,其具有扩散区;晶体管,其形成于该扩散区内,且包括源极、漏极与栅极;电力轨,其设置于该扩散区之外;接触层,其设置在该基板上方与该电力轨下方;以及盲孔,其设置于该接触层与该电力轨之间,以将该接触层电性连接至该电力轨;且其中该接触层包含第一长度与第二长度,该第一长度设置在该扩散区之外,且该第二长度从该第一长度延伸至该扩散区中并电性连接至该晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的