[发明专利]一种硼掺杂二氧化钛薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种硼掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）在双层辉光离子渗金属炉中，将固态化合物二硼化钛固定在源极上，金属工件放置在阴极上，阳极接在炉壳上并接地；2）将所述双层辉光离子渗金属炉内部抽真空，充入氩气，然后接通阴极电源，在阳极与阴极间施加直流电压，并使金属工件进行第一次升温，升温后进行离子轰击；控制调节通入氩气和氧气的混合气体，然后再调节阴极电压，同时接通源极电源，在源极与阳极间加直流电压，在源极电压为-900～-1100V的条件下，使金属工件进行第二次升温，然后进行等离子渗镀Ti、B并与O2反应，然后再进行保温，保温后再冷却到室温，即可。本发明工艺简单，生产成本低。

主权项

一种硼掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在双层辉光离子渗金属炉中，将固态化合物二硼化钛固定在源极上，金属工件放置在阴极上，阳极接在炉壳上并接地；2）然后将所述双层辉光离子渗金属炉内部抽至极限真空，炉内充入氩气，使气压维持在15～18Pa之间，加阴极电压至500V～600V，使金属工件进行第一次升温，升温后对金属工件表面进行离子轰击；控制调节通入流量比为1:1的氩气和氧气的混合气体，使气压维持在35～45Pa之间，然后再调节阴极电压，同时接通源极电源，在源极与阳极间施加直流电压，在源极电压为‑900～‑1100V的条件下，使金属工件进行第二次升温，然后在保温条件下进行等离子渗镀钛硼，保温后再冷却到室温，即得到所述硼掺杂二氧化钛薄膜。