[发明专利]一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法在审
申请号: | 201310014512.9 | 申请日: | 2013-01-15 |
公开(公告)号: | CN103065798A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 江平;王安玖 | 申请(专利权)人: | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法,包括将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨、浸入苯甲醇溶液、浸入银浆和烘干固化等步骤,完成对氧化铌电容器的石墨、银浆层的制备。本发明由于采用了在油性石墨前增加浸渍苯甲醇溶液的处理工艺,有效的抑制了氧化铌电容器在高温125℃容量变化,提高了氧化铌电容器在高温环境中的可靠性和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 电容器 石墨 银浆层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法,其特征在于,所述该方法包括以下步骤:1)将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨,浸渍深度为芯子高度的3/4~4/5,浸渍时间为1~10S;2)取出后,用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨,室温放置5~10min,再放入140~200℃烘箱内固化10~60min;3)氧化铌块芯子取出冷却至室温,浸入苯甲醇溶液,浸渍深度为芯子总高度的3/4~4/5,浸渍时间为1~10S;4)取出后,将浸渍过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨,浸渍深度为芯子总高度的3/4~4/5,浸渍时间为1~10S;5)缓慢取出,用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨,室温放置5~10min,再放入140~200℃烘箱内固化10~60min;6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温,浸入银浆,浸渍深度为芯子总高度的3/4~4/5,浸渍时间为1~10S;7)取出后,用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆,室温放置5~10min,再放入160~230℃烘箱内固化10~60min。
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