[发明专利]一种嬗变次锕系核素的聚变驱动次临界包层有效

专利信息
申请号: 201310014762.2 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN103093836A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 曹良志;杨超;吴宏春 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G21B1/11 分类号: G21B1/11
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 何会侠
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种嬗变次锕系核素的聚变驱动次临界包层,由多个相同的独立小模块组成,每个小模块的整体形状为“D”字型,包括内包层、外包层以及其间形成的“D”字型等离子体腔,内包层为圆柱体型,沿径向从内到外依次为内屏蔽层、内反射层、内第一壁和内刮削层,外包层整体形状也为“D”字型,沿径向从内到外依次为外刮削层、外第一壁、嬗变区、氚增殖区,外反射层和外屏蔽层,嬗变区内沿外第一壁水平布置多个嬗变燃料组件;采用模块化的设计,以便于燃料的装载和卸装;嬗变区嬗变燃料组件的水平布置,提高了嬗变区的填充率,使得嬗变包层的结构更加紧凑;嬗变燃料组件内的燃料采用金属合金燃料,获得一个比较硬的能谱,有利于MA通过裂变反应进行直接有效的嬗变。
搜索关键词: 一种 嬗变 次锕系 核素 聚变 驱动 临界 包层
【主权项】:
一种嬗变次锕系核素的聚变驱动次临界包层,由多个相同的独立小模块组成,每个小模块的整体形状为“D”字型,包括内包层、外包层以及内包层和外包层间形成的“D”字型等离子体腔(1),所述内包层为圆柱体型,沿径向从内到外依次为内屏蔽层(11)、内反射层(10)、内第一壁(9)和内刮削层(8),所述外包层的整体形状和等离子体腔(1)也为“D”字型,沿径向从内到外依次为外刮削层(2)、外第一壁(3)、嬗变区(4)、氚增殖区(5),外反射层(6)和外屏蔽层(7),在所述嬗变区(4)、氚增殖区(5),外反射层(6)和外屏蔽层(7)的一端均为第一冷却剂通道(14),另一端均为第二冷却剂通道(15),其特征在于:所述嬗变区(4)内沿外第一壁(3)水平布置多个嬗变燃料组件(20)。
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