[发明专利]一种Ag-S共掺p型ZnO薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310015435.9 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103103478A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 徐天宁;卢忠;隋成华 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ag-S共掺p型ZnO薄膜及其制备方法，制备方法包括如下步骤：(1)将硫化银和氧化锌粉末混合均匀后压制成型，煅烧，制备出掺杂Ag2S的ZnO靶材；(2)将衬底表面清洗后放入电子束沉积装置的生长室中，加热衬底，将生长室抽真空，以掺Ag2S的ZnO为靶材，在生长室中生长成Ag-S共掺p型ZnO薄膜。本发明以Ag2S为掺杂源，采用电子束沉积法制备Ag-S共掺p型ZnO薄膜，制备得到的p型ZnO薄膜大大改善了其电学性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ag zno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ag‑S共掺p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将硫化银和氧化锌粉末混合均匀后压制成型，煅烧，制备出掺杂Ag2S的ZnO靶材；(2)将衬底表面清洗后放入电子束沉积装置的生长室中，加热衬底，将生长室抽真空，以掺Ag2S的ZnO为靶材，在生长室中生长成Ag‑S共掺p型ZnO薄膜。
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