[发明专利]磁冷却设备及其控制方法有效
| 申请号： | 201310015439.7 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103206804B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 崔祐赫;金珉秀;文溢柱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | F25B21/00 | 分类号： | F25B21/00;F25B49/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;郑玉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种磁冷却设备及其控制方法。所述磁冷却设备以简化结构取代了往复型和旋转型冷却设备的提供驱动力的电机与动力传输系统。磁冷却设备包括：磁体，形成磁场；磁再生单元，由磁热材料形成，设置有线圈，并将当向磁场中的线圈供应电流时产生的电磁力用作运动能量；以及控制器，控制供应到磁再生单元的线圈的电流以控制磁再生单元的移动速度和方向。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁冷却设备，包括：多个磁体，形成磁场；磁再生单元，由磁热材料形成，磁再生单元设置有线圈，并将在向磁场中的线圈供应电流时产生的电磁力用作使磁再生单元在互相面对的磁体之间运动以进入和退出磁场的运动能量；当磁再生单元在磁场的内部被磁化时通过磁再生单元形成的高温侧流动路径；当磁再生单元在磁场的外部退磁化时通过磁再生单元形成的低温侧流动路径；以及控制器，控制供应到磁再生单元的线圈的电流，从而控制磁再生单元的运动，使得磁再生单元在进入磁场时被磁化并在退出磁场时退磁化，以由通过磁再生单元的退磁化而产生的温度下降来实现冷却，其中，所述控制器被构造为通过控制供应到线圈的电流的方向来控制磁再生单元的移动方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310015439.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种处理器模拟方法
- 下一篇：通信设备的软件更新升级方法
