[发明专利]成像元件和相机系统有效
| 申请号： | 201310015512.0 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103094294B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 西原利幸;角博文 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 周少杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种成像元件，包括放大晶体管。来自光电二极管的信号电荷可传送到放大晶体管的栅极，光电二极管在半导体基底内。放大晶体管的源极和漏极与半导体基底电隔离，其中，源极在阱内，或者源极和漏极在绝缘体上的硅层内。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 元件 相机 系统 | ||
【主权项】：
一种成像元件，包括：具有栅极、源极和漏极的放大晶体管；半导体基底内的光电二极管，来自所述光电二极管的信号电荷可传送到所述栅极，其中，所述源极和所述漏极在绝缘体上的硅层内，氧化绝缘膜将所述绝缘体上的硅层与所述半导体基底电隔离，并且高浓度层在所述光电二极管和内埋氧化膜之间，所述内埋氧化膜在所述高浓度层和所述绝缘体上的硅层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
