[发明专利]发光二极管装置及从一发光二极管增加光萃取的方法无效
| 申请号： | 201310015591.5 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103258922A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈长安 | 申请（专利权）人： | 旭明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种从一发光二极管增加光萃取的方法及发光二极管装置，该方法包括：将一第一n掺杂层沉积在一载具基板上；将一SixNy光罩沉积在该第一n掺杂层上，其中，该SixNy光罩是具有多个开孔，是使该第一n掺杂层部分暴露；将一第二n掺杂层沉积在该SixNy光罩上，以便该第二掺杂层是亦沉积在该多个开孔；将用于发光的一主动层沉积在该第二掺杂层上；以及将一p掺杂层沉积在该主动层上，以便该SixNy光罩是降低在以下至少其一中的缺陷：该第二n掺杂层、该主动层以及该p掺杂层。本发明的制造具有SixNy层的发光二极管结构，负责从发光二极管的一表面提供增加光萃取。当与传统制造没有SixNy层的发光二极管结构时，此制造具有SixNy层的发光二极管结构是可增加发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 增加 萃取 方法 | ||
【主权项】：
一种从一发光二极管增加光萃取的方法，其特征在于，是包括：将一第一n掺杂层沉积在一载具基板上；将一SiXNy光罩沉积在该第一n掺杂层上，其中，该SiXNy光罩是具有多个开孔，是使该第一n掺杂层部分暴露；将一第二n掺杂层沉积在该SixNy光罩上，以便该第二掺杂层是亦沉积在该多个开孔；将用于发光的一主动层沉积在该第二掺杂层上；以及将一p掺杂层沉积在该主动层上，以便该SixNy光罩是降低在以下至少其一中的缺陷：该第二n掺杂层、该主动层以及该p掺杂层。
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