[发明专利]一种基于GaN-Ga2O3核壳结构纳米线半导体气敏材料无效
| 申请号： | 201310016593.6 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103105421A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 李晓干;刘丽鹏;黄辉;王兢;朱慧超;唐祯安;闫卫平 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于GaN-Ga2O3核壳结构纳米线半导体气敏材料，属于电子气敏器件技术领域。其特征是：将直径为50-500 nm的GaN纳米线的表面层高温氧化为一层厚度为5-20nm的Ga2O3，得到具有核壳结构GaN-Ga2O3的纳米线半导体气敏材料，该半导体气敏材料可以用于检测O2，H2，H2S，氮氧化物，各种碳氢化合物气体以及氨气等神经元有害气体。本发明的效果和益处是：载体核纳米线尺寸易于制备，而外层氧化获得的Ga2O3敏感材料厚度为5-20nm，接近德拜耗尽层的尺寸，从而获得对气体响应的高灵敏度，解决了直接制备直径为5-20nm Ga2O3纳米线的技术问题，进一步降低制备费用，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan ga sub 结构 纳米 半导体 材料 | ||
【主权项】：
一种基于GaN‑Ga2O3核壳结构纳米线半导体气敏材料，其特征是：将直径为50‑500 nm的GaN纳米线的表面层高温氧化为一层厚度为5‑20nm的Ga2O3，得到具有核壳结构GaN‑Ga2O3的纳米线半导体气敏材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310016593.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：区别退化和破坏的机动车车载诊断
- 下一篇：主辅合金法制备钕铁硼的方法
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
