[发明专利]一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法，该选择性发射极太阳电池，包括p型片为衬底的硅片，所述硅片的前表面依次设有扩磷的n+层、细栅线图案底部的n++层、氮化硅减反膜层、氮化硅隔离层以及银前电极，所述银前电极上设有置于底部的主栅线图案和细栅线图案，所述硅片的背面依次为铝背场及铝背电极。本发明采用前电极主栅线与硅衬底隔离技术，可以有效减少前表面重掺区域比例，降低栅线底部区域的缺陷复合，同时可增加硅片前表面氮化硅钝化区域，避免主栅线金属银与硅衬底的欧姆接触造成的复合，有效提高开路电压、短路电流及电池转化效率。该技术工艺简单，制造成本较低，适合规模化生产，具有很大的市场前景。

主权项

一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池，包括p型片为衬底的硅片，其特征在于：所述硅片的前表面依次设有扩磷的n+层、细栅线图案底部的n++层、氮化硅减反膜层、氮化硅隔离层以及银前电极，所述银前电极上设有置于底部的主栅线图案和细栅线图案，所述硅片的背面依次为铝背场及置于铝背场上的铝背电极。