[发明专利]一种氧化铝太阳电池减反膜的制备方法

摘要

本发明提出一种氧化铝太阳电池减反膜的制备方法,以单晶硅Si（100晶相）为衬底，利用磁控溅射技术通过控制O2分压和腔室压强，溅射的Al在腔室中氧化得到高折射率、低吸收系数的Al2O3减反膜。通过调控氧气比例，可以在室温下直接溅射制备得Al2O3减反膜，能耗低，有利于节能减排。制备的Al2O3膜，在波长为300nm~1100nm区间内，透过率为85%~92%，折射率为1.57~1.76。

主权项

一种氧化铝太阳电池减反膜的制备方法, 对单晶硅Si衬底进行超声清洗，将磁控溅射腔抽真空；通入Ar气和O2气，采用Al靶材，溅射制备Al2O3太阳电池减反膜，其特征在于：其按以下步骤实施，1）、 依次使用丙酮、无水乙醇和去离子水对单晶硅Si（100晶项）衬底进行超声清洗5min~10min；将磁控溅射镀膜仪的腔室真空抽至≤6.0×10‑6pa；2）、 通入Ar气和O2气，工作压强为1.0pa~2.0pa， O2气占Ar气和O2气的总体积比10~35%， 采用纯度为99.99%的Al靶材，以30W~60W的溅射功率在单晶硅Si（100）衬底上溅射Al膜, Al膜在腔室中氧化得到Al2O3减反膜。