[发明专利]半绝缘碳化硅衬底钛欧姆接触电极的制备方法有效
| 申请号： | 201310017053.X | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103094073A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张永平;陈之战;石旺舟;卢吴越;谈嘉慧;程越;李薛 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 刘朵朵 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半绝缘碳化硅衬底钛欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：准备4H-SiC衬底；使用真空磁控溅射设备，将Ti电极薄膜通过磁控溅射设备沉积在所述4H-SiC衬底上，形成钛电极；将所述钛电极紧贴退火炉支撑Si托进行退火热处理，实现Si、Ti、SiC组份渐变的合金化合物电极；在所述Si、Ti、SiC组份渐变的合金化合物电极外侧渡一层Au作为电极保护；在电极与电极之间设置SiO2绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 碳化硅 衬底 欧姆 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半绝缘碳化硅衬底钛欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a）准备4H‑SiC衬底；b）使用真空磁控溅射设备，Ti电极薄膜通过磁控溅射设备沉积在所述4H‑SiC衬底上，形成钛电极；c）将所述钛电极紧贴退火炉支撑Si托进行退火热处理，实现Si、Ti、SiC组份渐变的合金化合物电极；d）在所述Si、Ti、SiC组份渐变的合金化合物电极外侧渡一层Au作为电极保护；e）在电极与电极之间淀积SiO2绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
