[发明专利]一种底栅结构的氧化物薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310017619.9 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103915508B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 翟应腾;吴勇 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 刘松 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种底栅结构的氧化物薄膜晶体管及其制作方法，该方法包括衬底；栅极，形成在所述衬底上；栅绝缘层，形成在所述栅极和所述衬底上，并覆盖所述栅极；有源层，由氧化物半导体形成在所述栅绝缘层上，包括源区、漏区和与所述栅极对应的沟道区，所述源区和所述漏区中掺杂氢离子；透氢层，形成在所述有源层上，用于控制所述源区和所述漏区中掺杂氢离子的量；刻蚀阻挡层，形成在所述透氢层上与所述栅极对应的位置，用于阻挡氢离子进入所述沟道区；源极和漏极，电连接到所述有源层。该方案中包括透氢层能够保证形成沟道区，从而保证TFT器件有效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种底栅结构的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极，形成在所述衬底上；栅绝缘层，形成在所述栅极和所述衬底上，并覆盖所述栅极；有源层，由氧化物半导体形成在所述栅绝缘层上，包括源区、漏区和与所述栅极对应的沟道区，所述源区和所述漏区中掺杂氢离子；透氢层，形成在所述有源层上，用于控制所述源区和所述漏区中掺杂氢离子的量；刻蚀阻挡层，形成在所述透氢层上与所述栅极对应的位置，用于阻挡氢离子进入所述沟道区；含氢钝化层，形成在所述透氢层和所述刻蚀阻挡层上，并覆盖所述透氢层和所述刻蚀阻挡层，用于提供所述源区和所述漏区掺杂的氢离子；源极和漏极，电连接到所述有源层。
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