[发明专利]基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法

摘要

基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退火；将第二石墨烯薄膜层（201）转移到（202）上；在（202）上光刻定义出台阶区域，并且利用台阶上的光刻胶作为掩模，去除（201）和（202），然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n-GaN为止；光刻定义出透明导电层的图形（201）和（202）；光刻电极图形，制作金属电极；进行超声剥离；GaN基LED所需的后段工艺。本发明降低了石墨烯与半导体材料的接触电阻，并且使整个透明导电层结构保持一个很高的透光率，使整体的透光率和石墨烯薄膜几乎保持一致。

主权项

基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，其特征在于：在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：1.1.将GaN基LED外延片（208）进行清洗；GaN基LED外延片（208）自上层往下层包括：p‑GaN层（203），多量子阱层（204），n‑GaN层（205），u‑GaN层（206），蓝宝石层（207）；用丙酮、乙醇煮沸，去离子水冲洗多遍，王水煮沸，去离子水冲洗多遍；1.2.在p‑GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7‑10nm；1.3.放入炉管退火；1.4.将第二石墨烯薄膜层（201）转移到步骤1.3所述退火后的在p‑GaN层（203）上制作的第一纳米ITO薄层（202）上；1.5.在步骤1.4所述的第一纳米ITO薄层（202）上光刻定义出台阶区域，并且利用台阶上的光刻胶作为掩模，去除第二石墨烯薄膜层（201）和第一纳米ITO薄层（202），然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n‑GaN为止；1.6.光刻定义出透明导电层的图形第二石墨烯薄膜层（201）和第一纳米ITO薄层（202）；包括在压焊金属圆台下刻蚀出圆孔，实现电流阻挡，以及增加金属电极与器件的粘附性；1.7.光刻出与步骤1.6中电极图形，制作金属电极；1.8.进行超声剥离；1.9.GaN基LED所需的后段工艺。