[发明专利]一种沟槽半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201310018668.4 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103943666A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，在沟槽内壁半导体结产生的耗尽层相互交叠，屏蔽了阳极到阴极的导电通道，使得本发明的半导体装置具有反向阻断功能；通过在半导体装置沟槽底部设置具有电荷补偿功能的材料，提高半导体装置反向阻断能力；当半导体装置接一定的正向偏压，因从阳极到阴极不存在半导体结，本发明的半导体装置具有极低的正向开启压降。本发明还提供了一种沟槽半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上；多个沟槽，沟槽位于漂移层中；半导体结，为PN结或肖特基势垒结，位于沟槽内壁；欧姆接触区，位于沟槽之间半导体材料上表面或沟槽侧壁上部表面；表面金属层，位于器件上表面，将欧姆基础区和半导体结表面电极相连。
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