[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备有效
| 申请号： | 201310019579.1 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103594522B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 金泰雄;张震;克里斯托弗·文森特·阿维斯;金渊龟 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;庆熙大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋颖娉;罗正云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备。所述薄膜晶体管包括栅电极、与栅电极重叠的半导体、与半导体电连接的源电极、与半导体电连接的且面向源电极的漏电极以及被放置在栅电极和半导体之间的堆叠的栅绝缘层。堆叠的栅绝缘层包括氧化铝层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 包括 显示 设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅电极；半导体，与所述栅电极重叠；源电极，与所述半导体电连接；漏电极，与所述半导体电连接且面向所述源电极；堆叠的栅绝缘层，位于所述栅电极和所述半导体之间，并且包括氧化铝层和位于所述氧化铝层的下侧的金属氧化物层；其中所述金属氧化物层是从铪、镁、钙、锆、硅、钇、锶、钽、钡和钛所组成的组中选择的一种金属氧化物，所述氧化铝层与所述半导体直接接触，所述金属氧化物层与所述栅电极直接接触，并且所述氧化铝层位于所述金属氧化物层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司;庆熙大学校产学协力团，未经三星显示有限公司;庆熙大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310019579.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：维护道路、自动除雪设备
- 下一篇：一种平交口交通配置结构
- 同类专利
- 专利分类
