[发明专利]半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310019841.2 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103227418B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 松谷弘康;佐藤圭 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器包括半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖脊部侧面和半导体层的顶面；其中，嵌入膜从脊部和半导体层侧开始依次包括由硅氧化膜构成的第一层、由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层、以及由无机绝缘材料制成的第三层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，包括：半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对所述有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖所述脊部的侧面和所述半导体层的顶面，其中，所述嵌入膜从接近所述脊部和所述半导体层的位置依次包括：第一层，由硅氧化膜构成，第二层，由具有比所述有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成，以及第三层，由无机绝缘材料制成。
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