[发明专利]一种六角相氮化硼薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310019912.9 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103031516A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;陈红征 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种六角相氮化硼薄膜的制备方法，采用物理气相沉积方法，由固态硼源提供硼原子，在衬底上形成六角相氮化硼薄膜；物理气相沉积的沉积速率为0.01nm/min～20nm/min，成膜过程中控制衬底温度为20～1600℃，最后以10～400℃/min的速率降温至室温。本发明方法制备六角相氮化硼薄膜，采用固态硼源，安全性好、制备方法简单、易于实现，制备得到的六角相氮化硼薄膜由1-200层的六角相氮化硼单元层组成。本发明方法制备得到的二维六角相氮化硼薄膜，具有优异的绝缘特性和平整度，可用于石墨烯光电子器件提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 六角 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积方法，由固态硼源提供硼原子，在衬底上形成六角相氮化硼薄膜；物理气相沉积的沉积速率为0.01nm/min～20nm/min；成膜过程中控制衬底温度为20～1600℃，最后以10～400℃/min的速率降温至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310019912.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：门把手组件以及具有该门把手组件的抽屉和冰箱
- 下一篇：一种氧气筒
- 同类专利
- 专利分类
