[发明专利]用于非易失性存储单元的方法和装置

摘要

本发明公开了非易失性存储单元和方法。在一种装置中，形成在半导体衬底的一部分中的非易失性存储单元的阵列包括第一存储单元，具有第一位单元和第二位单元；第二存储单元，具有第三位单元和第四位单元；以及列复用器，耦合至多条列线，列线中的选定一条耦合至第一存储单元和第二存储单元的第一源极/漏极端子并且耦合至第一存储单元和第二存储单元的第二源极/漏极端子，列复用器将电压耦合至连接至对应于数据的第一存储单元的列线中的一条，并且将电压耦合至连接至对应于互补数据的第二存储单元的列线中的一条。公开了用于操作非易失性存储单元的方法。本发明还公开了用于非易失性存储单元的方法和装置。

主权项

一种存储装置，包括：非易失性存储单元的阵列，形成在半导体衬底的一部分中，包括：第一存储单元，具有均用于存储对应于数据位的被捕捉电荷的第一位单元和第二位单元；第二存储单元，具有均用于存储对应于数据位的被捕捉电荷的第三位单元和第四位单元；其中，所述第一存储单元包括第一MOS晶体管，所述第二存储单元包括第二MOS晶体管，所述第一位单元和所述第二位单元包括邻接所述第一MOS晶体管的第一栅极侧壁的第一侧壁存储单元，所述第三位单元和所述第四位单元包括邻接第二MOS晶体管的第二栅极侧壁的第二侧壁存储单元，所述第一侧壁存储单元包括邻接所述第一栅极侧壁的第一氧化物‑氮化物‑氧化物层，所述第一氧化物‑氮化物‑氧化物层包括从所述第一栅极的一个侧壁经所述第一栅极的顶面延伸跨越到相反侧壁上的连续层；所述第二侧壁存储单元包括邻接所述第二栅极侧壁的第二氧化物‑氮化物‑氧化物层，所述第二氧化物‑氮化物‑氧化物层包括从所述第二栅极的一个侧壁经所述第二栅极的顶面延伸跨越到相反侧壁上的连续层；字线，被耦合以将电压提供给所述第一存储单元和所述第二存储单元的栅极端；以及列复用器，耦合至多条列线，所选择的列线耦合至所述第一存储单元和所述第二存储单元的第一源极/漏极端以及耦合至所述第一存储单元和所述第二存储单元的第二源极/漏极端，所述列复用器被耦合以接收用于存储在所述非易失性存储单元中的数据和互补数据，所述列复用器将电压耦合至与对应于所述数据的所述第一存储单元连接的一条列线并且将电压耦合至与对应于所述互补数据的所述第二存储单元连接的一条列线。