[发明专利]一种核壳结构的热敏量子点材料及其制备方法

摘要

本发明的一种核壳结构的热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的InP量子点，在核的基础上包覆II-VI族半导体ZnS隔离层，用来隔绝内外两层材料，再包覆另一种发绿光的II-VI族半导体CdSe纳米晶壳层，最外层仍然包覆ZnS保护层，以使CdSe层更为稳定，最终形成结构为Cu@InP/ZnS/CdSe/ZnS量子点。本发明的量子点对温度高度敏感，具体表现为不同温度条件下，该材料会发不同颜色的光：在常温下发绿光，在200摄氏度时发红光，在中间温度时发不同程度的黄光，该量子点性质稳定，尺寸均一，分散性好，壳层包覆后粒子呈完美球形。

主权项

一种核壳结构的热敏量子点材料，其结构有InP量子点核、ZnS隔离层、CdSe纳米晶壳层和ZnS保护层；所述的InP量子点核是荧光峰位为650nm~800nm的Cu掺杂的InP量子点，Cu掺杂量为按摩尔比Cu:P=1:5~20；所述的CdSe纳米晶壳层是2~3层CdSe。