[发明专利]具有毂的晶片载具无效
申请号: | 201310021407.8 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN103173743A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | V·博古斯拉夫斯基;A·I.·居拉瑞;K·莫伊;E·A.·阿穆尔 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/687 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蔡胜利 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于转盘CVD反应器的晶片载具(30)包括陶瓷例如碳化硅形成的一体式托板(32),在该托板的上游表面(34)限定了晶片保持特征例如容槽(38);还包括毂(40),其在托板(32)的中央区(44)中以可拆下的方式安装在托板(32)上。毂(40)提供了在反应器芯轴(16)上的紧固连接,而不会在陶瓷托板(32)上施加集中应力。毂(40)可在清洁托板(32)的过程中拆下。晶片载具(30)还优选包括在托板(32)的中央区(44)设在托板(32)的上游表面(34)上的气体流动促进元件(348,448)。气体流动促进元件(348,448)有助于重新引导入射气体沿着上游表面(34)流动并且避开在中央区(44)出现的流动不连续性。 | ||
搜索关键词: | 具有 晶片 | ||
【主权项】:
一种用于CVD反应器的晶片载具,包括:(a)托板,其具有朝向彼此相反方向的上游表面和下游表面,所述托板具有中央区和外围区,所述托板在外围区中具有晶片保持特征,所述晶片保持特征被配置成保持多个晶片,以使所述晶片暴露在托板的上游表面;以及(b)气体流动促进元件,其在中央区从托板的上游表面突伸。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的