[发明专利]半导体器件间隔离结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种半导体器件间隔离结构及其形成方法，其中，该结构包括：衬底，衬底的顶部表面包括具有第一掺杂区域和第二掺杂区域；半导体器件单元阵列，其中每个半导体器件单元为第一类半导体器件单元或第二类半导体器件单元；形成在相邻两行半导体器件单元之间的多个STI隔离结构；形成在同一行中相邻两个不同类型的半导体器件单元之间的多个STI隔离结构；以及形成在同一行中相邻两个相同类型的半导体器件单元之间的多个LOCOS隔离结构。本发明能够减小辐射条件下的器件间漏电，实现SOI的体接触，减小隔离结构和体接触的面积，提高器件和整体系统的性能，更加有利于高密度器件版图布局的要求，可以适用于高密度的存储器阵列等应用。

主权项

一种半导体器件间隔离结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的顶部表面包括具有第一掺杂类型的第一掺杂区域和具有第二掺杂类型的第二掺杂区域；形成在所述衬底之上的半导体器件单元阵列，所述半导体单元阵列中的每个半导体器件单元为形成在所述第一掺杂区域之上的第一类半导体器件单元或者形成在所述第二掺杂区域之上的第二类半导体器件单元；形成在相邻两行所述半导体器件单元之间的多个STI隔离结构；形成在同一行中相邻两个不同类型的所述半导体器件单元之间的多个STI隔离结构；以及形成在同一行中相邻两个相同类型的所述半导体器件单元之间的多个LOCOS隔离结构。