[发明专利]异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构有效
| 申请号： | 201310022558.5 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103227196A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | R·卡米洛-卡斯蒂罗;何忠祥;J·B·约翰逊;刘奇志;刘学锋 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了异质结双极晶体管（HBT）结构、其制造方法及其设计结构。所述HBT包括其中具有子集电极区域的半导体衬底。所述HBT结构还包括覆盖所述子集电极区域的一部分的集电极区域。所述HBT结构还包括覆盖所述集电极区域的至少一部分的内部基极层。所述HBT结构还包括与所述内部基极层相邻并电连接的外部基极层。所述HBT结构还包括在所述外部基极层与所述子集电极区域之间垂直延伸的隔离区域。所述HBT结构还包括覆盖所述内部基极层的一部分的发射极。所述HBT结构还包括电连接到所述子集电极区域的集电极接触。所述集电极接触有利地延伸穿过所述外部基极层的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 结构 制造 方法 及其 设计 | ||
【主权项】：
一种异质结双极晶体管结构，包括：半导体衬底，其中具有第一导电类型的子集电极区域；第一导电类型的集电极区域，其覆盖所述子集电极区域的第一部分，所述集电极区域具有比所述子集电极区域低的杂质浓度；第二导电类型的内部基极层，其覆盖所述集电极区域的至少一部分；外部基极层，其与所述内部基极层相邻并电连接；隔离区域，其在所述外部基极层与所述子集电极区域的第二部分之间垂直延伸；第一导电类型的发射极，其覆盖所述内部基极层的一部分；以及集电极接触，其电连接到所述子集电极区域，所述集电极接触延伸穿过所述外部基极层的至少一部分。
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