[发明专利]制造纳米磷光体的方法、发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310022674.7 申请日: 2013-01-22
公开(公告)号: CN103525421B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 申明洲;白昇桓;李荣培;朴赞宰 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;C09K11/59;C09K11/62;H01L33/50;G02F1/13357;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 王占杰,韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种制造纳米磷光体的方法、一种发光二极管、一种制造发光二极管的方法以及一种液晶显示器。制造纳米磷光体的方法包括使纳米磷光体原料与熔剂接触以形成混合物;烧结混合物以形成纳米前驱物;球磨纳米前驱物;以及将球磨的纳米前驱物进行干燥,以形成纳米磷光体,其中,纳米磷光体的平均颗粒尺寸为大于等于大约50纳米(nm)且小于等于7微米(μm)。
搜索关键词: 制造 纳米 磷光体 方法 发光二极管 及其
【主权项】:
一种制造用于发光二极管的磷光体的方法,所述方法包括:使纳米磷光体原料与熔剂接触以形成混合物,在大于1400摄氏度且小于等于1600摄氏度的温度下烧结混合物以形成纳米前驱物,球磨纳米前驱物,将球磨的纳米前驱物进行干燥,以形成纳米磷光体,以及将纳米磷光体和大块磷光体混合,其中,纳米磷光体的平均颗粒尺寸大于等于50纳米且小于等于500纳米,大块磷光体的颗粒尺寸为大于等于8微米且小于等于30微米。
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