[发明专利]具有亚微米级间隙的高效电荷转移寄存器及其制备工艺有效
申请号: | 201310023561.9 | 申请日: | 2013-01-22 |
公开(公告)号: | CN103094299A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 何伟基;陈钱;顾国华;张闻文;廖发建;钱惟贤;隋修宝;任侃;屈惠明;黄强强;徐濛;陈云飞;于雪莲;路东明;张玉珍 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L27/146 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 唐代盛 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有亚微米级间隙的高效电荷转移单元及其制备工艺,该高效电荷转移寄存器由至少两个高效电荷转移单元串联而成,该高效电荷转移单元设计采用了四相结构,各相之间的间隙为亚微米级,这种亚微米级的间隙能保证电荷转移单元高效的进行电荷转移。本发明提高信号电荷的转移速度及转移效率,同时也降低了栅极的电压要求。 | ||
搜索关键词: | 具有 微米 间隙 高效 电荷 转移 寄存器 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种具有亚微米级间隙的高效电荷转移寄存器,其特征在于由至少两个具有亚微米级间隙的高效电荷转移单元串联而成,该高效电荷转移单元具有P型衬底与埋沟型N型沟道,在该N型沟道上镀上氧化膜,在该氧化膜上制作形成四个间隙宽度为亚微米级的栅极,各栅极依次为第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极,在各栅极上镀SiO2层,所有单元的第一栅极通过金属电极连接在一起,所有单元的第二栅极通过金属电极连接在一起,所有单元的第三栅极通过金属电极连接在一起,所有单元的第四栅极连通过金属电极接在一起;每个高效电荷转移单元的第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极各对应一相,即第一相、第二相、第三相、第四相,第一相、第二相、第三相、第四相起电荷转移的作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的