[发明专利]一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器

摘要

一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，包括基底、两对输入输出电极、两对GMR敏感元件和GMR参考元件、以及呈对称布置的磁力线聚集器，两对输入输出电极镀于基底的表面，每对GMR敏感元件和GMR参考元件与一对输入输出电极构成惠斯通电桥；基底上设有两个对称的第一凹坑和第二凹坑，惠斯通电桥位于第一凹坑和第二凹坑之间，第一凹坑和第二凹坑内部平面、斜面以及凹坑边沿上均镀有软磁薄膜以形成依次布置的凹坑内聚集器、斜面聚集器、凹坑边沿聚集器，第一凹坑和第二凹坑之间的中间区域设有中心聚集器，进而形成磁力线聚集器。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。

主权项

一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，其特征在于，包括基底(5)、两对输入输出电极、两对GMR敏感元件和GMR参考元件、以及呈对称布置的磁力线聚集器，所述两对输入输出电极镀于基底(5)的表面，每对GMR敏感元件和GMR参考元件与一对输入输出电极构成惠斯通电桥；所述基底(5)上设有两个对称的第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)，所述惠斯通电桥位于第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)之间，所述第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)内部平面、斜面以及凹坑边沿上均镀有软磁薄膜以形成依次布置的凹坑内聚集器、斜面聚集器、凹坑边沿聚集器，所述第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)之间的中间区域设有中心聚集器(9)，进而形成磁力线聚集器。