[发明专利]场效应晶体管和形成晶体管的方法有效
| 申请号： | 201310024264.6 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103227197A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | A·布赖恩特;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管和形成晶体管的方法。公开的是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构的实施例及制造该结构的方法。该结构包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域之间的沟道区域。源极/漏极区域可以包括对源极/漏极掺杂剂具有高扩散率的硅。沟道区域包括为最优化载流子迁移率和带能并且为具有低源极/漏极掺杂剂扩散率而选择的硅合金。在工艺期间，源极/漏极掺杂剂可以扩散到沟道区域的边缘部分。然而，因为硅合金向源极/漏极掺杂剂的低扩散率，掺杂剂不会深地扩散到沟道区域中。由此，硅合金沟道区域的边缘部分和源极/漏极区域可以具有基本相同的掺杂剂分布，但是与硅合金沟道区域的中心部分具有不同的掺杂剂分布。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：半导体体区，包括：硅源极/漏极区域；以及硅合金沟道区域，横向位于所述硅源极/漏极区域之间，所述硅合金沟道区域包括邻近所述硅源极/漏极区域的边缘部分和在所述边缘部分之间的中心部分，所述边缘部分和所述中心部分具有不同导电类型和不同导电水平中的任一种；栅极结构，在所述半导体体区上，邻近所述硅合金沟道区域的所述中心部分；以及栅极侧壁间隔物，在所述半导体体区上，横向邻近所述栅极结构并且还邻近所述硅合金沟道区域的所述边缘部分。
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