[发明专利]电子元器件带电粒子辐照效应地面等效注量计算方法无效
申请号: | 201310024890.5 | 申请日: | 2013-01-23 |
公开(公告)号: | CN103116176A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 李兴冀;刘超铭;肖景东;杨德庄;何世禹 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G01T1/02 | 分类号: | G01T1/02 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 王艳萍 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 电子元器件带电粒子辐照效应地面等效注量计算方法,本发明涉及电子元器件的模拟试验方法。本发明是要解决现有的电子元器件辐照效应地面模拟试验误差大的技术问题。本方法:一、测定电子元器件所接受的轨道带电粒子能谱;二、利用Monte-Carlo方法或GEANT4程序计算经防护层后到达电子元器件表面的在轨电离及位移吸收剂量D1;三、确定电子元器件敏感区厚度;四、确定所选试验条件下的粒子种类及能量,通过Monte-Carlo方法或GEANT4程序计算敏感区在试验条件下的电离或位移吸收剂量D2;五、按D1=D2,计算实验室条件下的等效注量Φ和辐照时间t。本发明的方法用于电子元器件的模拟试验。 | ||
搜索关键词: | 电子元器件 带电 粒子 辐照 效应 地面 等效 计算方法 | ||
【主权项】:
电子元器件带电粒子辐照效应地面等效注量计算方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:一、按电子元器件的服役轨道和服役时段,计算电子元器件所受到轨道带电粒子能谱;二、根据步骤一得到的轨道带电粒子能谱,利用Monte‑Carlo方法或GEANT4程序计算经防护层后到达电子元器件表面的在轨电离及位移吸收剂量D1,吸收剂量的单位为rad;三、确定敏感区厚度,敏感区为MOS(MIS)Si体器件的栅氧区、双极型器件的钝化层和pn结;四、根据步骤四得到的敏感区厚度,确定所选试验条件下的粒子种类及能量,通过Monte‑Carlo方法或GEANT4程序计算敏感区在试验条件下的电离或位移吸收剂量D2;五、按D1=D2,计算实验室条件下的等效注量Φ或辐照时间t。
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