[发明专利]一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310024925.5 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103095244A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈希明;李福龙;薛玉明;朱宇清;张倩;阴聚乾;郭燕;孙连婕 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/25;H03H3/08 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种择优取向的AlN压电薄膜，由CVD金刚石衬底和a轴择优取向AlN薄膜叠加组成，CVD金刚石衬底厚度为20-25um、表面粗糙度低于5nm，a轴择优取向AlN薄膜厚度为60-80nm；其制备方法是：将清洗后的CVD金刚石衬底送入射频磁控溅射室中抽真空中进行N2处理，在衬底表面沉积a轴择优取向AlN薄膜，然后进行原位N2退火处理，重复交替进行沉积和退火处理直至a轴择优取向AlN薄膜厚度达到300-500nm为止。本发明的优点是：该择优取向的AlN压电薄膜用于制备高频、大功率、高机电耦合系数的SAW器件，产品可靠性强、成品率高且成本低；其制备方法工艺简单、易于实施，有利于大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 择优取向 aln 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种择优取向的AlN压电薄膜，其特征在于：由CVD金刚石衬底和a轴择优取向AlN薄膜叠加组成，CVD金刚石衬底厚度为20‑25um、表面粗糙度低于5nm，a轴择优取向AlN薄膜厚度为60‑80nm。
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