[发明专利]一种生成离线辅助程式方案的方法有效
| 申请号： | 201310025840.9 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943525B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 舒强;郝静安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种生成离线辅助程式方案的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括步骤S101建立作为基准的刻蚀后检测的关键尺寸分布图；步骤S102采集掩膜板的关键尺寸一致性数据；步骤S103根据所述的作为基准的刻蚀后检测的关键尺寸分布图和掩膜板的关键尺寸一致性数据，生成离线辅助程式方案。该方法通过在建立作为基准的刻蚀后检测的关键尺寸分布图以及采集掩膜板关键尺寸一致性数据的基础上，生成离线辅助程式方案，减少了测量工具的使用时间以及工程师的作业时间，实现了快速地生成离线辅助程式方案，可以及时改善集成电路的关键尺寸一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生成 离线 辅助 程式 方案 方法 | ||
【主权项】：
一种生成离线辅助程式方案的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：建立作为基准的刻蚀后检测的关键尺寸分布图，所述作为基准的刻蚀后检测的关键尺寸分布图表征跨晶圆关键尺寸变化；步骤S102：采集掩膜板的关键尺寸一致性数据，所述掩膜板的关键尺寸一致性数据表征跨芯片线宽变化；步骤S103：根据所述的作为基准的刻蚀后检测的关键尺寸分布图和掩膜板的关键尺寸一致性数据，生成离线辅助程式方案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310025840.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种歧化松香及其制备方法
- 下一篇：一种金属用涂料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
