[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310025851.7 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943504A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李勇;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417;H01L29/32 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在衬底上形成虚拟栅极结构；在虚拟栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁；在所述虚拟栅极结构两侧的所述衬底中执行LDD离子注入，以形成轻掺杂源漏；在偏移侧壁上形成间隙壁；在虚拟栅极结构两侧的所述衬底中执行源漏离子注入，以形成源漏区；在衬底上执行应力记忆技术步骤；在所述源漏区上外延生长SiC层，以形成抬升的SiC源漏极；在衬底上形成接触孔蚀刻停止层；去除所述虚拟栅极中的多晶硅层，并形成金属栅极；在LDD离子注入或所述源漏离子注入步骤中在所述源漏区中形成位错。所述半导体器件包含位于源漏区中的位错以及抬升的SiC源漏极，可以提高电子的迁移率，同时避免应力的减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极结构；在所述虚拟栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁；在所述虚拟栅极结构两侧的所述衬底中执行LDD离子注入，以形成轻掺杂源漏；在所述偏移侧壁上形成间隙壁；在所述虚拟栅极结构两侧的所述衬底中执行源漏离子注入，以形成源漏区；在所述衬底上执行应力记忆技术的步骤；在所述源漏区上外延生长SiC层，以形成抬升的SiC源漏极；在所述衬底上形成接触孔蚀刻停止层；去除所述虚拟栅极结构中的多晶硅层，并形成金属栅极；其中，在所述LDD离子注入或所述源漏离子注入步骤中，在所述源漏区中形成位错。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
