[发明专利]一种纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310025873.3 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103078031A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 马忠元;徐岭;倪小东;江小帆;杨华烽;史勇;任圣;张小伟;李伟;徐骏;陈坤基;冯端 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管,同时还涉及其制备方法，属于纳米光电子器件材料技术领域。该二极管包括P型硅基底，P型硅基底上的纳米银圆环；沉积在纳米银圆环覆盖P型硅基底的掺氧a-SiNx:O薄膜发光有源层；掺氧a-SiNx:H发光有源层上蒸发金属电极,留出窗口。本发明使发光有源层和纳米金属圆环的有机结合，可以切实实现硅基局域表面等离激元增强的可控波长的发光二极管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 银圆 局域 表面 离激元 增强 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管，包括P型硅基底，其特征在于：所述P型硅基底上分布纳米银圆环阵列；所述纳米银圆环阵列被P型硅基底上沉积掺氧的a‑SiNx:O薄膜发光有源层覆盖；所述a‑SiNx:H薄膜发光有源层上淀积留出窗口的电极。
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