[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

摘要

本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种用于制造半导体装置的方法包括：提供半导体装置要布置在其上面的衬底，把衬底加热到超过衬底的软化点或玻璃转变温度中至少一个的第一温度，以及把多晶硅层淀积到衬底上。一种半导体装置包括具有至少一个小于600摄氏度的软件点Ts的衬底和位于衬底上表面上使得其与衬底邻接的多晶硅层。

主权项

一种用于制造在光生伏打装置中使用的半导体装置的方法，所述方法包括：提供衬底，所述半导体装置要布置在所述衬底上；将所述衬底加热到超过所述衬底的软化点的第一温度；以及将多晶硅层淀积到所述衬底上。