[发明专利]NAND闪存及对其施加偏压的方法

摘要

本发明公开了一种NAND闪存及对其施加偏压的方法，电荷储存存储器是被设计于一NAND阵列中，并包括经由串行选择开关耦接至位线的多个NAND串行且包括多条字线。一控制器产生一偏压，用于针对NAND阵列的一选定存储单元执行一操作。此偏压包括，在串行选择开关被导通时，充电此位线，以不将由充电位线所导致的噪声传入串行中。位于耦接至一选定字线的NAND串行中的存储器单元的两侧上的存储器单元中的半导体本体区域被耦接至参考电压，以使它们被预充电，而此阵列中的串行的字线是在操作期间转态至各种电压。

主权项

一种存储器，包括：多个感测节点及多个参考节点；多个存储器单元串行，各串行被配置为将该多个感测节点及该多个参考节点中的一对应感测节点及一对应参考节点相连接，并包括一串行选择开关，用于选择性地连接该串行至该相对应感测节点，以及一接地选择开关，用于选择性地连接该串行至该相对应参考节点；多条字线、至少一串行选择线以及一接地选择线，该多条字线中的字线耦接至该多个串行中的对应存储器单元，该至少一串行选择线耦接至该多个串行中的对应串行选择开关，且该接地选择线耦接至该多个串行中的对应接地选择开关；以及逻辑及电路，耦接至该多条字线，以施加一偏压配置，偏压配置包括：一第一期间，其中一第一电压被设定在一选定字线上，高于该第一电压的一第二电压被设定在该多条字线中的未选定字线上，以及位于该选定串行中的该选定存储器单元的两侧上的多个存储器单元的该半导体本体被耦接至一参考电压；一第二期间，其中该选定串行的该串行选择开关被断开，且多个位线电压被设定至一选定串行的该感测节点；以及一第三期间，其中该选定串行的该串行选择开关被导通，且如果其阈值低于该第一电压的话，则电流在该选定存储器单元中流动。