[发明专利]电磁波垂直入射S型负折射材料

摘要

本发明公开了一种电磁波垂直入射S型负折射材料，用于解决现有的基于S型负折射材料对于垂直入射电磁波无法形成磁偶极矩和负折射效应的技术问题。技术方案是电磁波垂直入射S型负折射材料由位于介质基板正反面的覆铜片和穿过介质基板的覆铜过孔构成S型结构，相邻两个S型结构成反对称排列，组成S型负折射率材料的基本单元。这种负折射率材料平面在与入射波磁场方向垂直时，在电磁波磁场激励下，S型结构形成环形电流产生磁偶极矩，进而产生负折射率。本发明S型负折射材料的负折射率产生取决于基本单元自身的谐振，不依赖基本单元间的耦合作用。

主权项

一种电磁波垂直入射S型负折射材料，包括覆铜片（1）和介质基板（2），其特征在于：由位于介质基板（2）正反面的覆铜片（1）和穿过介质基板（2）的覆铜过孔（3）构成S型结构，相邻两个S型结构成反对称排列，组成S型负折射率材料的基本单元，电磁波垂直入射S型负折射材料由若干基本单元组成；覆铜片（1）是长方形且尺寸相同，平行于电场极化方向排列，覆铜过孔（3）是圆柱形，尺寸与介质基板（2）的厚度相等，垂直于电场极化方向排列，覆铜过孔（3）与位于介质基板（2）正反两面的覆铜片（1）首尾相连。