[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310026101.1 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943505B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明提供的半导体器件包括垂直MOS晶体管，所述垂直MOS晶体管的漏极与主体之间设置有介电层。本发明提供的半导体器件的制造方法，包括制造位于垂直MOS晶体管的漏极与主体之间的介电层的步骤。本发明提供的半导体器件，由于在垂直MOS晶体管的漏极与主体之间设置了介电层，可以有效抑制由于寄生双极型晶体管导致的漏电流，并可以改善阈值电压。本发明提供的半导体器件的制造方法制造的半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括垂直MOS晶体管，所述方法包括制造位于所述垂直MOS晶体管的漏极与主体之间的介电层的步骤，所述介电层位于所述主体的上方，以抑制漏电流的产生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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