[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，ESD保护用的N型MOS晶体管的漏极区域，经由在ESD保护用沟槽隔离区域的侧面及下表面设置的、利用与漏极区域相同的导电型的杂质扩散区域而形成的漏极延伸设置区域，与利用与漏极区域相同的导电型的杂质扩散区域而形成的漏极接触区域电连接。从而提供减少占有面积的增加的、具有带充分的ESD保护功能的ESD保护用的N型的MOS晶体管的半导体装置。

主权项

一种半导体装置，具有包含ESD保护用的N型MOS晶体管的多个MOS型晶体管，在所述多个MOS型晶体管间为了电隔离而设置有沟槽隔离区域，所述半导体装置具有：ESD保护用沟槽隔离区域，其与所述ESD保护用的N型MOS晶体管的漏极区域相接而配置，垂直方向的深度比所述沟槽隔离区域深；漏极延伸设置区域，在所述ESD保护用沟槽隔离区域的侧面及下表面设置，利用与所述漏极区域相同的导电型的杂质扩散区域而形成；以及漏极接触区域，经由所述漏极延伸设置区域与所述漏极区域电连接，利用与所述漏极区域相同的导电型的杂质扩散区域而形成。