[发明专利]一种石墨烯/碳纳米管复合导电薄膜的制备方法无效
申请号: | 201310026864.6 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103103492A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 乔志军;康建立;赵乃勤;秦凯强 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/02 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 李济群 |
地址: | 300161*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开一种石墨烯/碳纳米管复合导电薄膜的制备方法,该制备方法采用以下工艺:1)制备催化剂前驱体;取样本铜箔超声波清洗、干燥后,进行等离子体处理或微氧化处理;配置催化剂溶液,然后将处理后的样本铜箔浸入催化剂溶液中,使样本铜箔基体上负载一层催化剂溶液,再将该铜箔基体放入真空干燥箱中干燥1小时,得到均匀分布在铜箔基体表面的钇掺杂催化剂前驱体;2)制备石墨烯/碳纳米管复合导电薄膜;取所得催化剂前驱体,置于反应管中部恒温区进行分解反应;然后升温进行催化裂解反应;反应0.2-1h后,关掉混合反应气体,保温0-1h,然后在氩气氛围下,将炉温降至室温,即得到石墨烯/碳纳米管复合导电薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 纳米 复合 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯/碳纳米管复合导电薄膜的制备方法,该制备方法采用以下工艺:1)制备催化剂前驱体取样本铜箔依次在蒸馏水、丙酮和酒精中进行超声波清洗,干燥后进行等离子体处理或微氧化处理后备用;配置催化剂溶液,催化剂溶液由六水硝酸镍、六水硝酸钴或九水硝酸铁与六水硝酸钇的混合水溶液配制而成Ni基、Co基或Fe基催化剂,其中六水硝酸镍、六水硝酸钴或九水硝酸铁的浓度为0.0001‑1mol/L,镍、钴或铁与钇的质量比为10‑1;然后将处理后的样本铜箔浸入上述催化剂溶液中,使样本铜箔基体上负载一层催化剂溶液,再将该铜箔基体放入真空干燥箱中,在80‑100℃下干燥1小时,得到均匀分布在铜箔基体表面的钇掺杂催化剂前驱体;所述等离子处理为氩气等离子处理,处理时间0.5‑10min;所述微氧化处理的条件是,空气中处理,处理温度100‑300℃,处理时间0.1‑2h;2)制备石墨烯/碳纳米管复合导电薄膜取步骤1)所得催化剂前驱体,放入石英舟中,将石英舟置于反应管中部恒温区;在氩气保护下升温至200‑400℃,并在此温度下煅烧1‑4小时,进行分解反应;然后将温度升到500‑850℃通入混合反应气体,进行催化裂解反应;所述混合反应气体为氩气、氢气与乙炔气体按Ar∶H2∶C2H2=100‑400∶5‑200∶5‑100的流量比配制,反应0.2‑1h后,关掉混合反应气体,保温0‑1h,然后在氩气氛围下,将炉温降至室温,得到在铜片和铜箔基体上一步高效合成石墨烯/碳纳米管复合导电薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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