[发明专利]ZnO同轴同质pn结纳米棒及其制备方法

摘要

针对在一维纳米材料领域无法制备ZnO同轴同质pn结纳米棒的技术难题，本发明提供了一种ZnO同轴同质pn结纳米棒及其制备方法。本发明所提供的ZnO同轴同质pn结纳米棒的一端为未掺杂的ZnO区，ZnO同轴同质pn结纳米棒的余下部分为掺杂Sb的ZnO区，其中，Sb的掺杂浓度为1~7at.%。本方法的显著特征在于使用电化学沉积方法连续外延生长n型无掺杂ZnO区和p型Sb掺杂ZnO区。本发明能够在80℃的低温条件下制备出ZnO同轴同质pn结纳米棒，且设备简单、成本低廉，可为制作纳米光电器件提供参考。

主权项

ZnO同轴同质pn结纳米棒，其特征在于，ZnO同轴同质pn结纳米棒的一端为未掺杂的ZnO区（1），ZnO同轴同质pn结纳米棒的余下部分为掺杂Sb的ZnO区（2），其中，ZnO同轴同质pn结纳米棒未掺杂的ZnO区（1）为n型，ZnO同轴同质pn结纳米棒掺杂Sb的ZnO区（2）为p型。