[发明专利]一种硅粉的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310026873.5 申请日: 2013-01-24
公开(公告)号: CN103043665A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 罗学涛;卢成浩;方明;陈娟;黄柳青;赖惠先;李锦堂 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森;刘勇
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种硅粉的制备方法,涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料,将原料硅放在坩埚中,通过感应线圈电磁加热,熔化硅料;2)硅料熔化时,加入造渣剂,控制加热功率,使反应过程中硅液的温度保持在1550℃~1850℃,造渣精炼结束后,静置,除去浮于硅液上层的造渣剂;3)将硅液温度控制在1500~1700℃,然后打开阀门,启动雾化器;硅液经由导流管进入雾化器;调整雾化器出气口的气压,使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室,由承接转盘收集得到所述的硅粉。
搜索关键词: 一种 制备 方法
【主权项】:
一种硅粉的制备方法,其特征在于其包括以下步骤:1)硅料熔化:采用冶金级硅料作为原料,将原料硅放在坩埚中,通过感应线圈电磁加热,熔化硅料;2)造渣精炼除硼:硅料熔化时,加入造渣剂,控制加热功率,使反应过程中硅液的温度保持在1550℃~1850℃,造渣精炼结束后,静置,除去浮于硅液上层的造渣剂;3)将硅液温度控制在1500~1700℃,然后打开阀门,启动雾化器;硅液经由导流管进入雾化器;调整雾化器出气口的气压,使硅液呈喷雾状飞出雾化器,进入雾化室,由承接转盘收集得到本发明所述的硅粉。
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