[发明专利]磁阻效应元件和磁存储器有效
| 申请号： | 201310026991.6 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103296198A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刈屋田英嗣;末光克巳 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁阻效应元件和磁存储器。本发明使得能够在使用垂直磁化膜的磁阻效应元件中抑制通过高温热处理引起的MR率降低。该磁阻效应元件包括数据存储层、数据参考层、以及介于数据存储层与数据参考层之间的MgO膜。数据存储层包括与MgO膜接触的CoFeB膜、垂直磁化膜、以及介于CoFeB膜与垂直磁化膜之间的Ta膜。CoFeB膜通过Ta膜磁耦合到垂直磁化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
一种磁阻效应元件，包括：数据存储层，所述数据存储层具有磁化方向可反转的区域；数据参考层，所述数据参考层的磁化方向固定；以及MgO膜，所述MgO膜介于所述数据存储层与所述数据参考层之间，其中所述数据存储层包括：第一CoFeB膜，所述第一CoFeB膜与所述MgO膜接触；第一垂直磁化膜；以及第一Ta膜，所述第一Ta膜介于所述第一CoFeB膜与所述第一垂直磁化膜之间，并且其中所述第一CoFeB膜通过所述第一Ta膜磁耦合到所述第一垂直磁化膜。
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